Samsung рассказала о работе над оперативной памятью нового поколения, а также о разработке памяти для видеокарт нового поколения. И в том, и в другом случае вырастут скорости и пропускная способность. Правда, выйдут новинки еще не скоро.
Оперативная память DDR5, по сути, только появилась на рынке, но Samsung уже работает над DDR6. Ее скорость составит 12 800 Мбит/с, как регламентирует стандарт JEDEC. Однако это без учета разгона, а с учетом его модули DDR6 вполне смогут продемонстрировать скорость 17 000 Мбит/с. Более того, при регламентированной скорости 6400 Мбит/с и разгоне до 8500 Мбит/с некоторые модули DDR5 в реальности разгоняются до 12 000 Мбит/с, так что DDR6 вполне может покориться скорость 20 000 Мбит/с.
DDR5 только вышла на рынок, до этого DDR4 продержалась шесть лет. Если DDR5 повторит путь предшественницы, то появление DDR6 в продаже следует ждать не раньше 2026 года.
Samsung также работает над памятью GDDR6+, которая придет на смену чипам GDDR6, использующимся в абсолютном большинстве современных видеокарт. На данный момент только Micron превысила порог скорости в 21 Гбитс/с со своими чипами GDDR6X, но GDDR6+ окажется еще быстрее — до 24 Гбит/с. Это позволит видеокартам с шиной памяти разрядностью от 320 бит обеспечить пропускную способность памяти выше 1 ТБ/с, а пропускная способность памяти моделей с 256-битной шиной достигнет 768 ГБ/с.
На смену GDDR6+ придет GDDR7 со скоростью до 32 Гбит/с. Это обеспечит GPU с 256-битной шиной пропускную способность памяти в 1 ТБ/с, и 1,5 ТБ/с моделям с 384-разрядной шиной. Правда, видеокарты с GDDR7 появятся едва ли раньше, чем в продажу поступит DDR6.
Наконец, Samsung подтвердила планы начать массовое производство памяти HBM3 во втором квартале следующего года. Эта память будет использоваться в графических ускорителях и процессорах для центров обработки данных
© iXBT
